Термоядерний стартап Helion розробляє нові напівпровідники, здатні подвоїти потужність його електростанцій

Грант виділено Міністерством торгівлі США в межах закону CHIPS Act строком на три роки. З урахуванням додаткового приватного траншу загальний обсяг залученого капіталу компанії перевищив 3,2 мільярда доларів, закріпивши за Helion позицію другого за рівнем фінансування термоядерного стартапу у світі. Понад 100 мільйонів доларів із залучених коштів підуть на будівництво науково-дослідного комплексу та складальної лінії напівпровідників у штаті Вашингтон.

Ще близько 80 мільйонів доларів буде спрямовано на партнерський проєкт із GlobalFoundries у Вермонті для проєктування обладнання та процесів. Мета ініціативи — створити перше в США внутрішнє виробництво високовольтних імпульсних напівпровідників. Поточні пристрої втрачають 5–10% електроенергії, а скорочення цих тепловтрат удвічі дасть змогу вдвічі наростити корисну потужність генерації.

Технологія Helion передбачає пряме вловлювання електроенергії за допомогою магнітних полів без використання традиційних парових турбін, що робить енергоефективність напівпровідників вирішальним фактором комерційної рентабельності. Компанія зобов'язалася розпочати постачання електроенергії для корпорації Microsoft з першої установки Orion у 2028 році, проте нове покоління чипів інтегруватимуть уже в наступні серійні проєкти.

Окрім термоядерної генерації, розроблювані напівпровідникові компоненти мають потенціал застосування в суміжних секторах промисловості: від силової електроніки для електромобілів і передачі енергії в магістральних мережах до систем водоочищення, медицини та оборонних замовлень, де спостерігається гострий дефіцит локалізованого американського виробництва.

Що це означає: державна підтримка через CHIPS Act стимулює створення внутрішньої ланки високопотужної мікроелектроніки, що знижує залежність інноваційних енергетичних проєктів від імпорту компонентів і наближає комерціалізацію термоядерної генерації.